Press-Pack IGBT
بسته مطبوعاتی IGBT (IEGT)
| تایپ کنید | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
توجه داشته باشید:D- با دقطعه ید، A-بدون قطعه دیود
به طور معمول، ماژول های تماس لحیم کاری IGBT در دنده سوئیچ سیستم انتقال DC انعطاف پذیر اعمال می شد.بسته ماژول اتلاف حرارت یک طرفه است.ظرفیت برق دستگاه محدود است و برای اتصال سری مناسب نیست، طول عمر ضعیف در هوای نمکی، لرزش ضعیف یا خستگی حرارتی ضعیف است.
دستگاه IGBT پرس-کنتاکت پرقدرت نوع جدید نه تنها مشکلات جای خالی در فرآیند لحیم کاری، خستگی حرارتی مواد لحیم کاری و راندمان پایین اتلاف حرارت یک طرفه را به طور کامل حل می کند، بلکه مقاومت حرارتی بین اجزای مختلف را نیز از بین می برد. اندازه و وزن را به حداقل برسانیدو راندمان کاری و قابلیت اطمینان دستگاه IGBT را به طور قابل توجهی بهبود می بخشد.این بسیار مناسب است تا نیازهای پرقدرت، ولتاژ بالا و قابلیت اطمینان بالا سیستم انتقال DC انعطاف پذیر را برآورده کند.
جایگزینی نوع تماس لحیم کاری با بسته پرس IGBT ضروری است.
از سال 2010، Runau Electronics برای توسعه دستگاه بسته پرس نوع جدید IGBT و موفقیت در تولید در سال 2013 ساخته شد.
اکنون می‌توانیم بسته‌های پرس سری IGBT از محدوده IC در 600A تا 3000A و محدوده VCES در ولتاژ 1700V تا 6500V را تولید و ارائه کنیم.چشم انداز عالی از بسته پرس IGBT ساخت چین برای استفاده در سیستم انتقال انعطاف پذیر DC چین بسیار انتظار می رود و بعد از قطار برقی پرسرعت تبدیل به یکی دیگر از سنگ های مایل کلاس جهانی صنعت الکترونیک قدرت چین خواهد شد.
معرفی مختصر حالت معمولی:
1. حالت: بسته پرس IGBT CSG07E1700
●مشخصات الکتریکی پس از بسته بندی و پرس
● معکوسموازیمتصلدیود بازیابی سریعنتیجه گیری
● پارامتر：
ارزش امتیازی (25 ℃)
آ.ولتاژ امیتر کلکتور: VGES=1700(V)
بولتاژ امیتر گیت: VCES=±20（V）
ججریان گردآورنده: IC=800(A)ICP=1600(A)
داتلاف توان کلکتور: PC=4440 (W)
ه.دمای محل اتصال کار: Tj=-20~125℃
f.دمای ذخیره سازی: Tstg=-40~125℃
توجه: دستگاه در صورت فراتر از ارزش امتیازی آسیب می بیند
برقیCخصوصیات, TC＝125℃,Rth (مقاومت حرارتی ازاتصال بهمورد)شامل نمی شود
آ.جریان نشتی گیت: IGES=±5 (μA)
بجریان مسدود کننده امیتر کلکتور ICES=250(mA)
جولتاژ اشباع امیتر کلکتور: VCE(sat)=6(V)
دولتاژ آستانه امیتر گیت: VGE(th)=10(V)
ه.زمان روشن: Ton=2.5μs
f.زمان خاموش شدن: Toff=3μs
2. حالت: بسته پرس IGBT CSG10F2500
●مشخصات الکتریکی پس از بسته بندی و پرس
● معکوسموازیمتصلدیود بازیابی سریعنتیجه گیری
● پارامتر：
ارزش امتیازی (25 ℃)
آ.ولتاژ امیتر کلکتور: VGES=2500(V)
بولتاژ امیتر گیت: VCES=±20（V）
ججریان گردآورنده: IC=600(A)ICP=2000(A)
داتلاف برق کلکتور: PC=4800(W)
ه.دمای محل اتصال کار: Tj=-40~125℃
f.دمای ذخیره سازی: Tstg=-40~125℃
توجه: دستگاه در صورت فراتر از ارزش امتیازی آسیب می بیند
برقیCخصوصیات, TC＝125℃,Rth (مقاومت حرارتی ازاتصال بهمورد)شامل نمی شود
آ.جریان نشتی گیت: IGES=±15 (μA)
بجریان مسدود کننده امیتر کلکتور ICES=25(mA)
جولتاژ اشباع امیتر کلکتور: VCE(sat)=3.2 (V)
دولتاژ آستانه امیتر گیت: VGE(th)=6.3(V)
ه.زمان روشن: Ton=3.2μs
f.زمان خاموش شدن: Toff=9.8μs
gولتاژ پیشروی دیود: VF=3.2 ولت
ساعتزمان بازیابی معکوس دیود: Trr=1.0 میکروثانیه
3. حالت: بسته پرس IGBT CSG10F4500
●مشخصات الکتریکی پس از بسته بندی و پرس
● معکوسموازیمتصلدیود بازیابی سریعنتیجه گیری
● پارامتر：
ارزش امتیازی (25 ℃)
آ.ولتاژ امیتر کلکتور: VGES=4500(V)
بولتاژ امیتر گیت: VCES=±20（V）
ججریان گردآورنده: IC=600(A)ICP=2000(A)
داتلاف برق کلکتور: PC=7700(W)
ه.دمای محل اتصال کار: Tj=-40~125℃
f.دمای ذخیره سازی: Tstg=-40~125℃
توجه: دستگاه در صورت فراتر از ارزش امتیازی آسیب می بیند
برقیCخصوصیات, TC＝125℃,Rth (مقاومت حرارتی ازاتصال بهمورد)شامل نمی شود
آ.جریان نشتی گیت: IGES=±15 (μA)
بجریان مسدود کننده امیتر کلکتور ICES=50(mA)
جولتاژ اشباع امیتر کلکتور: VCE(sat)=3.9 (V)
دولتاژ آستانه امیتر گیت: VGE(th)=5.2 (V)
ه.زمان روشن شدن: Ton=5.5μs
f.زمان خاموش شدن: Toff=5.5μs
gولتاژ پیشروی دیود: VF=3.8 V
ساعتزمان بازیابی معکوس دیود: Trr=2.0μs
توجه داشته باشید:بسته پرس IGBT از نظر قابلیت اطمینان مکانیکی بالا در دراز مدت، مقاومت بالا در برابر آسیب و ویژگی‌های ساختار پرس اتصال مزیت است، برای استفاده در دستگاه سری مناسب است و در مقایسه با تریستور سنتی GTO، IGBT روش ولتاژ درایو است. .بنابراین، کار با آن آسان، ایمن و محدوده عملیاتی گسترده است.