تریستور سوئیچ سریع (سری YC با استاندارد بالا)

شرح

استاندارد تولید و فناوری پردازش جنرال الکتریک توسط RUNAU Electronics از دهه 1980 معرفی و به کار گرفته شد.شرایط کامل ساخت و آزمایش کاملاً با نیاز بازار ایالات متحده آمریکا مطابقت داشت.RUNAU Electronics به عنوان پیشگام در ساخت تریستور در چین، هنر دستگاه های الکترونیکی قدرت دولتی را در اختیار ایالات متحده آمریکا، کشورهای اروپایی و کاربران جهانی قرار داده است.این بسیار واجد شرایط است و توسط مشتریان ارزیابی می شود و برنده ها و ارزش های بزرگ بیشتری برای شرکا ایجاد شده است.

معرفی:

1. تراشه

تراشه تریستور تولید شده توسط RUNAU Electronics از فناوری آلیاژ متخلخل استفاده شده است.ویفر سیلیکون و مولیبدن برای آلیاژسازی توسط آلومینیوم خالص (999/99 درصد) تحت خلاء بالا و محیط دمای بالا پخته شد.مدیریت ویژگی های تف جوشی عامل کلیدی برای تأثیر بر کیفیت تریستور است.دانش RUNAU Electronics علاوه بر مدیریت عمق اتصال آلیاژ، صافی سطح، حفره آلیاژ و همچنین مهارت انتشار کامل، الگوی دایره حلقه، ساختار دروازه ویژه.همچنین از پردازش ویژه ای برای کاهش عمر حامل دستگاه استفاده شد، به طوری که سرعت نوترکیب حامل داخلی بسیار تسریع می شود، شارژ بازیابی معکوس دستگاه کاهش می یابد و در نتیجه سرعت سوئیچینگ بهبود می یابد.چنین اندازه‌گیری‌هایی برای بهینه‌سازی ویژگی‌های سوئیچینگ سریع، ویژگی‌های حالت روشن و ویژگی‌های جریان موجی اعمال شد.عملکرد و عملکرد هدایت تریستور قابل اعتماد و کارآمد است.

2. کپسولاسیون

با کنترل دقیق صافی و موازی ویفر مولیبدن و بسته خارجی، ویفر تراشه و مولیبدن به طور محکم و کامل با بسته خارجی ادغام می شود.این مقاومت جریان موج و جریان اتصال کوتاه بالا را بهینه می کند.و اندازه گیری فن آوری تبخیر الکترون برای ایجاد یک فیلم آلومینیومی ضخیم بر روی سطح ویفر سیلیکونی استفاده شد و لایه روتنیوم که روی سطح مولیبدن آبکاری شده است مقاومت در برابر خستگی حرارتی را تا حد زیادی افزایش می دهد، طول عمر تریستور سوئیچ سریع به طور قابل توجهی افزایش می یابد.

مشخصات فنی

1. تریستور سوئیچ سریع با تراشه نوع آلیاژی ساخت RUNAU Electronics قادر به ارائه محصولات کاملا واجد شرایط استاندارد ایالات متحده می باشد.
2. I_GT، V_GTو من_Hمقادیر تست در 25 درجه سانتیگراد هستند، مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد، تمام پارامترهای دیگر مقادیر تست زیر T هستند_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2، tw= عرض پایه جریان نیم موج سینوسی.در 50 هرتز، I²t=0.005I²FSM(A²S)؛
4. در 60 هرتز: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10 میلی‌ثانیه) × 1.066، T_j=T_j;من²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

پارامتر: